Wolfram-Schutzdecke

Traditionell ist Blei das Produkt der Wahl für den Strahlenschutz gewesen. Tungsten Abschirmung Decke ist in der Lage zu Feld-Passform, die Bereitstellung für die Abschwächung der Strahlung in Höhe von 5 bis 10 Personen-Rem / Jahr, als durch das Äquivalentgewicht der traditionellen Bleidecke vorgesehen. Und da Wolfram-Legierung ist dünner und wiegt so viel wie 50 Prozent weniger als Blei, kann es mehr zu vergeben, wenn die Arbeitnehmer die Durchführung der sportlichen Aktivitäten in einem Kernkraftwerk erforderlich.

Mit der gleichen Dichte, hat Wolfram Decke die ähnliche Dicke als Blei Decken. Und hoch flexibel und kann geformt oder in eine beliebige Form ausgebildet werden. Es ist oft preisgünstige Alternativen führen. Es wird zu konstruieren und zu fertigen Spezialprofile, Platten und Band inklusive abschließbarer " Hohe Rad " Anwendungen.

Hier hat das oben beschriebene Verfahren einen Effekt der Verhinderung eines direkten Reaktion von Ti und WF 6, wenn eine Haftschicht ist eine laminierte Schicht aus Ti / TiN-Schichten und eine Wolfram-Schutztuch wird auf der Haftschicht gebildet. Eine direkte Reaktion von Ti und WF 6 wird ein festes Substrat, das eine Volumenausdehnung aufweisen wird und sich eine Ursache für das Ablösen einer Schicht zu bilden.

Wenn eine Haftschicht zum Bilden einer Wolfram-Schutzdecke durch Sputtern gebildet wird, wird das Substrat häufig auf einer Halterung unter Verwendung eines Halters oder Haken befestigt. An Abschnitten unter diesen Haken wird ein SiO 2 -Film, der eine Zwischenschicht-Isolationsschicht freigelegt wird, weil fast kein Film unter den Haken durch Sputtern gebildet. Wenn ein Wolfram-Schutzdecke wächst auf dem freigelegten SiO 2, das Wolfram-Schutzdecke ist leicht ab, weil der schwache Adhäsion Anti-Teilchen hergestellt abgezogen wird.

Beschreibung der Tungsten Blanket

Normalerweise als Stecker zum Verbinden Verdrahtungsschichten mehrerer Leiterschicht, Wolfram, das ein hochschmelzendes Metall verwendet wurde, besteht. , Hat Wolfram-Legierung jedoch eine schwache Adhäsion mit SiO 2. So kann zum Bilden Wolfram Decke auf einem Zwischenschicht-Isolationsfilm aus SiO 2 gebildet, laminierte Haftschicht aus Titan-Film zuerst gebildet und dann Wolfram Tuch wird darauf gebildet.

Tungsten Blanket Deposition

Wolfram blanket Abscheidungsvorrichtung einen Reaktor, dessen Inneres ist evakuierbaren, eine Einrichtung einen Gaseinlass zum Einleiten eines Reaktionsgases in den Reaktor, Halterung Mittel zur Befestigung ein Objekt zu behandelnde Substrat, Durchdringung verhindernde Mittel zur Verhinderung des Eindringens von Gas, um entsorgt decken einen Umfangsabschnitt einer Oberfläche des Objekts zu behandelnden Substrat und der einen inneren Durchmesser kleiner als der Durchmesser des Objektes Substrat und einen Außenumfang größer als die der Objektsubstrat und anderen Gaseinlaßeinrichtung zum Einleiten eines Gases, um ein Platz auf dem Umfang des Objekts Substrats durch die Durchdringung verhindernde Mittel abgedeckt. Wachstum von Wolfram auf einer Decke Umfangs SiO2 Teil des Substrats verhindert wird und somit die Produktion von Teilchen durch Abschälen der Wolframdecke verursacht wird verhindert.

Um ein Wachstum von Wolfram Decke auf dem belichteten SiO 2 -Schicht zu verhindern, wird die freigelegte SiO &sub2; Film um das Substrat mit einem Ring zur Verhinderung Reaktionsgas vom Erreichen des belichteten Films von SiO.sub bedeckt. 2.
In dem Verfahren der Bildung Wolfram Decke oben beschrieben, wenn ein Gas aus SiH 4 oder SiH 2 Cl 2 ist, erlaubt, auf eine Oberfläche eines Substrats, um darauf einen Dünnfilm aus Silicium zu fließen Stand der Technik Es wird nicht auf den Abschnitt mit einem Ring zur Verhinderung des Eindringens des Reaktionsgases erfasst sind. Somit wird eine Schicht aus SiO 2 auf einem Umfang des Substrats freigelegt.
Bei dem nächsten Vorgang des Bildens WSi-Film durch die Bereitstellung einer Strömung von Gas WF 6, WF 6 kann in einem Abschnitt, wo SiO 2 -Film auf einem Umfang des Substrats frei eindringen. In diesem Fall wächst Wolfram Decke direkt auf der SiO 2 -Schicht, und führt zu einer Produktion von Partikeln.

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