전통적으로, 납 방사선 차폐에 대한 선택의 제품이었다. 텅스텐 차폐 담요 필드-에 맞게, 5에서 전통적인 리드 담요의 당량에서 제공하는 것보다 10 사람 - 렘이 / 년 총 방사선의 감쇠를 제공하는 기능이 있습니다. 텅스텐 합금은 얇은 납보다 최대 50 % 적은 무게 때문에 근로자가 원자력 발전소에 필요한 신체 활동을 수행 할 때, 그것은 더 관대 할 수있다.

동일한 밀도 텅스텐 블랭킷 리드 담요보다 동일한 두께를 갖는다. 매우 유연한 성형 또는 임의의 형상으로 형성 될 수있다. 그것은 종종 경쟁력있는 대안을 이끌 가격. 이 엔지니어링하고 제조는 잠금 "고 라드"응용 프로그램을 포함하여 프로필, 석판과 리본, 전문.

여기서, 상기 방법은 점착 층의 Ti / 주석 필름의 적층 층과 텅스텐 차폐 블랭킷이 접착층 상에 형성 될 때 Ti 및 WF.sub.6의 직접 반응을 방지하는 효과를 갖는다. Ti 및 WF.sub.6의 직접 반응은 부피 팽창을 나타내고 층의 박리의 원인이 될 것이다 고체 기판을 형성 할 것이다.

텅스텐 차폐 블랭킷을 형성하기위한 점착 층을 스퍼터링에 의해 형성되는 경우, 기판은 흔히 홀더 또는 후크를 사용하는 마운트에 고정된다. 이 후크 부 미만에서는 거의 막이 스퍼터링에 의해 후크 아래에 형성되어 있기 때문에 층간 절연 층이 노출 된 SiO2를 막이다. 텅스텐 차폐 블랭킷 노출에 SiO2를 커지면, 텅스텐 차폐 블랭킷이 용이하기 때문에 약한 유착 방지 입자의 박리가 일어난다.

텅스텐 담요에 대한 설명

일반적으로, 내화성 금속이 채용되어있는 다층 배선의 배선층을 접속하기위한 플러그, 텅스텐 등. 그러나, 텅스텐 합금은 SiO2를 가진 약한 접착력을 가지고있다. 따라서, SiO2를 형성 절연막 층간에 텅스텐 블랭킷을 형성하기위한 티탄 막의 적층 접착층 먼저 형성 한 후, 텅스텐 블랭킷이 형성된다.

텅스텐 담요 증착

텅스텐 블랭킷 증착 장치는 실행 가능한 내측있는 반응기를 포함하고, 가스 입구를 반응기에 반응 가스를 도입하기위한 수단, 마운트, 오브젝트 기판이 처리되는 가스의 침투를 방지하는 침투 방지 수단을 장착하기위한 수단에 배치 처리 대상물의 기판 표면의 주변부를 커버하고 객체 기판의 직경과 오브젝트 기판보다도 큰 외부 둘레, 또 다른 가스 유입구보다 작은 내경을 갖는 (A)에 가스를 도입하기위한 수단 내관 방지 수단에 의해 덮여 대상 기판의 주위의 공간. 기판의 둘레 부에 SiO2를 블랭킷 텅스텐의 성장은 억제되고, 텅스텐 블랭킷 박리에 의한 입자 따라서 생산을 방지한다.

노출 된 SiO2를 필름 상에 텅스텐 블랭킷 성장을 방지하기 위해, 기판의 주위에 노출 된 SiO2를 막을 SiO2와의 노출 된 막에 도달하는 반응 가스를 방지하는 링으로 덮여있다.
SiH.sub.4 또는 SiH.sub.2 Cl.sub.2의 가스를 형성하기 위해 기판의 표면에 흐르게되는 경우, 텅스텐 블랭킷 상술 형성하는 종래의 방법에서는, 실리콘 박막 거기 이를 반응 가스의 침투를 방지하기위한 링에 의해 커버 부에 공급되지 않는다. 따라서, SiO2를 층은 상기 기판의 주변부에 노출된다.
WF.sub.6 가스의 흐름을 제공함으로써에 WSi 막 형성의 다음 공정에서, SiO2를 WF.sub.6는 필름 기판의 주연부에 노출되는 부분으로 침투 할 수있다. 이 경우, 텅스텐 블랭킷은 SiO2를 필름 상에 직접 성장 및 입자의 생산을 초래한다.

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