进行屏蔽设计时，可根据要求屏蔽层达到的总的减弱倍数计算屏蔽材料的厚度。
公式：K=e0.693 d / △1/2
K：屏蔽层的总减弱倍数
△ 1/2：该屏蔽材料的半值层值
d：屏蔽层厚度，其单位同半值层厚度，需要将半值层的质量厚度换算成材料的厚度时，再除以材料的密度即可得到。
钨合金屏蔽墙的设计原则源于放射性元素的半衰期原则，通过吸收屏蔽元素粒子以达到减小辐射量的目的。带电粒子与材料中的电子发生反应，丧失能量，从而发射衰减。而钨合金屏蔽墙通过削弱光电子，使光电子发生闪射电子偶形成衰减，从而达到屏蔽X射线和γ射线的目的。而中子则可通过结合弹性散射和非弹性散射，可使其衰减。大多数中子辐射屏蔽材料均包含弹性散射和非弹性散射两个过程。我们生产的钨合金屏蔽墙都是高品质产品。
核电站，工业领域，医疗X射线系统，放射性同位素使用，加速器等诸多领域都存在着放射性这一严重的问题。钨合金屏蔽墙可以屏蔽放射线，为我们提供最佳的防护。屏蔽辐射，为工作人员提供最佳的辐射防护是工作重点。钨合金屏蔽墙可吸收有害射线，因此，钨合金屏蔽墙是解决问题的首选。钨合金屏蔽墙部件可以为工作人员和结构物质提供防护，还可为电子设备以及感光底片提供辐射防护。
放射线的影响和穿透率是由放射线的类型所决定的。包括中子辐射、X射线、γ射线在内的间接电离辐射与直接电离辐射有着明显的区别。钨合金屏蔽墙可吸收带电粒子。通过特殊粒子与钨合金屏蔽墙中所含的金属粒子之间的相互作用，钨合金屏蔽墙可与其他屏蔽材料相结合，从而提供更好的辐射防护。我们严格按照您的要求生产钨合金屏蔽墙。
如果您对钨合金屏蔽墙感兴趣，请联系我们： sales@chinatungsten.com sales@xiamentungsten.com， 或者致电 : 0086 592 5129696。